Tổng hợp các yêu cầu kỹ thuật của máy gia tốc tuyến tính xạ trị

TT

Nội dung kiểm tra

Yêu cầu kỹ thuật

I

Kiểm tra bên ngoài

- Máy gia tốc xạ trị được kiểm định phải ở trong tình trạng đang hoạt động.

- Máy gia tốc xạ trị và bàn điều khiển phải sạch sẽ, không bị han rỉ, không bị nứt vỡ, không bị biến dạng.

II

Kiểm tra kỹ thuật

1

Kiểm tra bàn điều khiển

- Các công tắc của bàn điều khiển phải có tác dụng điều khiển, chuyển động nhẹ nhàng;

- Đèn chỉ thị trên bàn điều khiển phải thể hiện đúng trạng thái hoạt động của máy gia tốc.

2

Kiểm tra hoạt động của máy gia tốc

- Cần máy gia tốc phải quay được quanh trục một cách nhẹ nhàng và có thể dừng ở một vị trí bất kỳ.

- Bộ chuẩn trực chùm tia của máy gia tốc phải quay được quanh trục một cách dễ dàng và có thể dừng ở một vị trí bất kỳ.

- Các ngàm hoặc các lá - MLC có thể di chuyển được dễ dàng theo sự điều khiển để tạo được trường chiếu theo yêu cầu.

- Chỉ thị kích thước trường xạ bằng ánh sáng phải nhìn được rõ nét.

- Các hệ thống xác định khoảng cách bằng cơ học, chỉ thị quang học và laser phải quan sát được rõ ràng.

- Hệ thống dừng khẩn cấp cho phép dừng chiếu xạ từ bàn điều khiển và việc cho chiếu xạ lại sau khi dừng chỉ có thể thực hiện được từ bàn điều khiển.

- Khóa liên động hoạt động ổn định.

III

Kiểm tra đo lường

A

Kiểm tra độ chính xác của hệ thống cơ khí

1

Độ chính xác của thước chỉ thị quang học

± 2 mm

2

Độ chính xác của bộ hiển thị góc quay trong hệ thống chuẩn trực chùm tia, cần máy và bàn điều trị

± 1⁰

3

Độ trùng khít của kích thước trường sáng và trường xạ

± 3 mm đối với kích thước các trường ≤ (200 mm x 200 mm);

± 5 mm đối với kích thước các trường > (200 mm x 200 mm)

± 2 mm độ lệch của tâm trường xạ khỏi tâm chữ thập

4

Độ chính xác của chùm laser tại điểm đồng tâm

± 2 mm

5

Độ chính xác trong chuyển động của bàn điều trị

± 2 mm

B

Kiểm tra liều bức xạ chùm photon

6

Phẩm chất chùm photon (TPR_20/10)

± 2 % so với giá trị TPR_20/10 hoặc PDD_20/10 tại thời điểm commissioning

7

Chuẩn liều lối ra chùm photon

1 cGy/MU ± 2 %

8

Hệ số liều lối ra theo kích thước trường chiếu

± 2 % so với giá trị hệ số liều lối ra tại thời điểm commissioning

9

Độ phẳng (F) và tính đối xứng (S) của trường chiếu

± 3 %

10

Hệ số truyền qua nêm (nêm vật lý)

± 2 % so với giá trị hệ số truyền qua nêm tại thời điểm commissioning

C

Kiểm tra liều bức xa chùm điện tử

11

Phẩm chất chùm điện tử (R₅₀)

± 2 mm so với giá trị R₅₀ tại thời điểmcommissioning

12

Chuẩn liều lối ra chùm điện tử

1 cGy/MU ± 2 %

13

Hệ số liều lối ra cho các bộ hội tụ chùm điện tử

± 2 % so với giá trị hệ số liều lối ra tại thời điểm commissioning

14

Độ phẳng (F) và Tính đối xứng (S) của trường chiếu

F ≤ ± 6 % đối với năng lượng nhỏ hơn 10 MeV; F ≤ ± 4 % đối với năng lượng lớn hơn 10 MeV

S ≤ ± 3 %

D

Kiểm tra bộ chuẩn trực đa lá (MLC)

15

Độ chính xác về xác lập vị trí lá MLC tại điểm đồng tâm

± 1 mm so với giá trị tọa độ MLC xác lập theo phần mềm

16

Độ trùng tâm của các trường xạ tạo bởi MLC khi quay thân máy (Gantry Spoke Shot)

Tất cả các điểm giao nhau nằm trong phạm vi đường tròn bán kính 1 mm

17

Độ trùng khít của kích thước trường xạ và trường sáng tạo bởi MLC

± 2 mm

18

Độ trùng tâm của các trường xạ khi quay bộ chuẩn trực đa lá (MLC Spoke Shot)

Tất cả các điểm giao nhau nằm trong phạm vi đường tròn bán kính 1 mm

19

Độ rò xạ qua khe và thân lá (interleaf/intraleaf leakage), độ rò xạ qua mỏm lá

≤ 2 % (qua thân lá), ≤ 2,5 % (qua khe các lá) và tất cả các giá trị độ rò xạ qua thân lá, khe lá, mỏm lá phải được đưa vào phần mềm lập kế hoạch mô phỏng xạ trị